TSRAM / PARRAM

Schnell testbare Speicher

Layout TSRAM	(54k gif)
Layout PARRAM	(72k gif)

Spezifikation

Die ICs implementieren schnell testbare Speicher.

Die Speicher verwenden Reed-Muller Kodierung anstelle der Minterm-Kodierung. Dadurch reichen anders als bei üblichen SRAM oder DRAM Speichern bereits O(#Eingänge) Testmuster für den vollständigen funktionalen Test aus.

Entwurfsvorgehen

Schaltungsbeschreibung in der Sprache MODEL (ES2 SOLO1400)
Standardzellentwurf mit SOLO1400

technische Information

	ES2	Chipfläche	Pads	Tran.
TSRAM	1.5µm CMOS, 2 Met.	44.85mm2	21	42508
PARRAM	1.5µm CMOS, 2 Met.	43.82mm2	28	42310